功率及化合物半導體論壇
2016-11-08 15:05:20
日期: 2017年3月15-16日
地點: 上海浦東嘉里大酒店
地址: 上海市浦東新區花木路1388號
從以硅為代表的*代半導體開始，到以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體，再到以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）寬禁帶材料為代表的第三代半導體，功率及化合物半導體對人類社會和科技影響越來越巨大，應用涵蓋半導體照明、激光、顯示、移動通訊、消費電子、綠色能源、現代交通等方方面面。
為響應產業需求，SEMI中國整合旗下資源，將于SEMICON China 2017 重磅推出“功率及化合物半導體論壇”，內容涵蓋“LED及光電”、“寬禁帶電力電子”、“化合物半導體及通訊”及“新型功率器件” 四個主題版塊。
Day1-2017年3月15日
Session1: LED及光電（原LED China 論壇）
回顧2016年，LED行業鏈盈利水平持續降低的趨勢漸止，LED產業跨行業并購已經成為一個顯著趨勢。從三安嘗試收購砷化鎵通訊半導體制造大廠GCS、到華燦光電收購傳感器引領者美新半導體，中國LED制造商借資本之力在更大的泛半導體領域布局。
SEMICON China 2017期間，享譽業界的“LED China 論壇”將整合至SEMI旗下“功率及化合物半導體論壇”，議題更是引領業界前沿，涵蓋 Micro-LED、激光、UV-LED、光通訊、藍寶石、行業整合與并購等熱點議題。
Session2:寬禁帶半導體電力電子
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好的特點，其本身具有的優越性質及其在微波功率器件領域應用中潛在的巨大前景，非常適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。
本次會議將邀請全球寬禁帶半導體產業鏈上*具創新的公司，呈現寬禁帶半導體制造前沿技術及在電力電子應用的*新趨勢。
Day2-2017年3月16日
Session3: 化合物半導體及通訊
隨著近幾年智能移動終端出貨量大增，化合物半導體市場增長明顯加速，產業內相關公司營收增長迅速，而中國企業在市場爆發中錯失增長紅利，國產化進程箭在弦上。
本次會議探討GaAs、GaN等化合物半導體技術在無線網絡升級、衛星導航、汽車電子、物聯網等應用浪潮中廣闊市場空間和本土企業的機會。
Session4:新型功率器件
現代電力電子器件仍然在向大功率、易驅動和高頻化方向發展。IGBT、 MCT、 IEGT、SiC MOSFET 等電力電子器件的發展不斷推陳出新，對材料和半導體制造工藝都提出了更高的要求。
中國企業如何抓住本土市場良機，縮短與英飛凌、ABB、羅姆、東芝、松下等國外巨頭的差距，是亟待解決的問題。本次會議將整合設計、制造、封測及應用廠商，探討行業的機會與挑戰。
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